芯片在设计、生产制程、封装、使用过程中，由于过压击穿、芯片裂纹、芯片抗干扰能力差、热稳定性不好、异物腐蚀等等因素，均有可能导致芯片产生短路、漏电、功能异常等各种失效；

IC芯片的短路、漏电失效分析（FA)，是日常分析中的常见问题，而EMMI设备是FA中的重要分析工具。

EMMI全称Emission microscopy(微光显微镜），采用高灵敏度的InGaAs CCD，探测波长主要集中在900~1700nm的近红外光谱区间；

InGaAs CCD光谱图

EMMI可以通过侦测导电IC发射出的光子，从而侦测出IC的失效位置；

例如：硅基半导体，当电子与空穴复合时，会发射出光子，该光子可以被EMMI捕捉到并转换成亮点图，从而可以确定FA位置。

侦测得到亮点之情况：
会产生亮点的缺陷 – 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electrons;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶须（
Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。
原来就会有的亮点 – Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。

我公司的EMMI微光显微镜覆盖波长为400~1750nm的款波段，配个高倍物镜时空间分辨率可以低至0.1um以下；

以下用我公司EMMI微光显微镜为案例，测试一款多通道mosfet芯片在EMMI下的亮点图：

EMMI亮点图（5X成像）

EMMI亮点图（20X成像）

EMMI亮点图(40X成像）

EMMI亮点图（80X成像)

此外，除用于EMMI因为有较高的放大倍数，除用于热点检测，也可用于视觉缺陷检测：

100X成像

200X成像